Samsung ve Qualcomm FinFET patent ihlali davası hayırlı olsun!
Gün geçmiyor ki bir şirket diğerine patent ihlali ile ilgili dava açmasın. Bu noktada en önemli dava sanırız Apple ve Samsung arasında oldu. Amerika’dan sonra Güney Kore ve Avrupa’ya da taşınan bu davalardan dolayı şirketler büyük maddi ve prestij kaybı yaşadılar. Bugün ise yine oldukça ilginç bir patent ihlali davası ile karşı karşıyayız zira konu çok ama çok önemli bir durum. Bildiğiniz gibi Samsung ve diğer chipset üreticileri yonga seti geliştirirken FinFET adı verilen bir prosesten yararlanıyorlar. En kaba tabirle FinFET, silikon chiplere kat çıkmaya izin veren, Gordon Moore yasasının devamını sağlayacak gibi gözüken ve birçok üretici tarafından kullanılan chip oluşturma teknolojisi olarak tanımlanabilir. Gelen bilgilere göre FinFET teknolojisinin patentini elinde bulunduran Gelişmiş Bilim ve Teknoloji Enstitüsü (KAIST) ABD şubesi, bazı şirketlerin, FinFET olarak bilinen yarı iletken üretim proses teknolojilerini kullanmaları için telif ödemeleri gerektiğini iddia ederek Texas’taki bir federal mahkemede Samsung Electronics, Qualcomm ve Global Foundries‘e karşı dava açtı. Samsung ve Qualcomm FinFET patent ihlali yaptı mı yapmadı mı bunu bilemiyoruz ama durum oldukça ciddi olarak görülüyor.
KAIST için (sanıyoruz adı geçen profesör o dönemde dışarıdan bir tür danışmanlık hizmeti veriyor) 2001’de Wonkwang Üniversitesi’nde çalışan Seul Ulusal Üniversitesi profesörü Lee Jong-ho’nun sunduğu 3D FinFET teknolojilerine ait yönergelerini izinsiz kullanılması ile ilgili bir durum ile karşı karşıyayız. Bunu en başta “bu zamana kadar neden beklemişler ki” olarak yorumladık ama yaptığımız araştırma bu davanın açılması ile ilgili yıllardan beri çalışıldığını gösteriyor. Bakalım KAIST dünyanın en zengin enstitüsü olabilecek mi?
Not: yıllarca sürecek bir davaya hazır olun..
Samsung Gear VR ile korkularınızdan kurtulun
