Yonga seti üreticileri bir ellerine yüzlerine su çarpsınlar. Çünkü Samsung ilk 3nm GAA yonga setini üretiyor. TSMC’ye geçmiş olsun.

Samsung uzun zamandır fiyat politikası nedeniyle akıllı telefondaki tahtını koruma tehlikesiyle karşı karşıyaydı. Ancak bu yeni hamlesiyle “Vatandaşa cart curt yok!” demeye hazırlanıyor. Intel’in kurucu ortağı olan Moore, ilk olarak 1965’te bir entegre devre (IC) içindeki transistör sayısının her yıl iki katına çıkacağını belirtti. Daha sonra bunu 1970’lerde transistör sayısının her iki yılda bir ikiye katlayacağını belirterek revize etti. Samsung, 5nm yonga setlerinin seri üretimine başladı ve şimdi Samsung (wccftech aracılığıyla), rakibi TSMC’yi geride bırakan 3nm GAA yonga setlerini piyasaya sürecek.

GAA teknolojisi ile akım akışı üzerinde daha fazla kontrol vardır ve bu da daha fazla güç verimliliği sağlar. TSMC, bu yılın ikinci yarısında sevkiyatına başlayacağı 3nm SoC’leri için hala önceki nesil FinFET transistör tasarımını kullanıyor. Dünyanın önde gelen bağımsız dökümhanesi, 2026’da müşterilerine teslim etmeyi umduğu 2nm işlemci ile GAA’yı kullanmaya başlayacak.

Samsung, 3nm teslimatlarıyla TSMC’yi yenmek için o kadar hevesliydi ki, şirket birkaç Samsung yöneticisi ve Koreli politikacının katıldığı Gyeonggi-do’daki Hwaseong Kampüsünde bir tören düzenledi. 3nm SoC’lerin ilk partisi, akıllı telefon üreticilerine gönderilmiyor. Bunun yerine, güç tüketiminde büyük bir azalmaya izin veren yeni 3nmGAA ile kripto para madencileri tarafından kullanılan ekipmanlarda kullanılacaklar.

Samsungcuğum Sakin Ol Sayın Abim! 3nm GAA Geliyor! yazısı ilk önce TeknoBurada üzerinde ortaya çıktı.

Mobil pazarda kendi işlemcisini kendi fabrikasında üreten sadece tek bir üretici var o da Samsung. Güney Koreli üretici yıllar önce bu işe ilk girdiğinde “kesinlikle başarılı olamaz” nidaları atılmış olsa da dünyanın en büyük silikon üreticisi Intel‘in bu pazarda başarısız olacağını kim tahmin ederdi ki? Samsung geçtiğimiz yıl FinFet üretim süreci sayesinde 14 nanometreye kadar inmişti ve “artık daha da inemez” açıklamaları gelmeye başlamıştı. Bu yorumlara aldırmayan ve işine devam eden Samsung geçtiğimiz dönemde Galaxy S8‘de kullanacağı Exynos 8895‘i 10 nanometre üretim süreciyle üreteceğini duyurmuştu. Bugün ise Qualcomm Samsung ile ortaklığa giderek (sanki başka bir ihtimali var) yeni nesil Snapdragon 835 yonga setinde 10 nanometre üretim sürecine geçiş yapacağını açıkladı.

Aynı zar alanına göre %30 daha az yere, %27 daha fazla performansa, %40 daha az güce ihtiyaç duyacak olan Snapdragon 835 yonga setinin bugünün telefonlarını resmen 3 yıl önceki modellerin durumuna sokacağını belirtelim. Quick Charge 4.0 ile desteklenen yeni nesil işlemcinin akım gerilim ölçeklendirmesi sayesinde daha güvenli bir pil kullanımı sağladığını da belirtelim. Aynı tarzda bir güvenlik önleminin Exynos 8895’te de olacağını bu noktada hatırlatalım…

2017 yılı ilk yarısında tüm cihazlarda görmeye başlayacağımız Snapdragon 835‘in mobil pazara ciddi bir hareket kazandıracağı ise ortadaki bir diğer gerçek...

HTC X10 ve Desire 650 göründü

Qualcomm Snapdragon 835 ortaya çıktı! yazısı ilk önce TeknoBurada üzerinde ortaya çıktı.