Samsung 1 nm Üretim Süreci İçin Düğmeye Bastı

Samsung, yarı iletken dünyasında sınırları zorlamaya devam ediyor. Ortaya çıkan son yol haritası detayları, şirketin yalnızca mevcut üretim süreçlerini geliştirmekle kalmayıp, çok daha ileri bir teknoloji için şimdiden hazırlıklara başladığını gösteriyor.

Paylaşılan bilgilere göre Samsung, 1 nm üretim süreci için uzun vadeli planlarını netleştirmiş durumda. Bu hedef, sadece boyut küçültme değil, aynı zamanda çip mimarisinde köklü değişiklikler anlamına geliyor ve sektörün geleceğini doğrudan etkileyecek bir adım olarak görülüyor.

Samsung 1 nm Süreciyle Neleri Hedefliyor?

Samsung’un planına göre 1 nm üretim sürecinin 2031 yılında hayata geçirilmesi hedefleniyor. Bu süreç öncesinde şirket, 2 nm GAA teknolojisi üzerinde çalışmalarını sürdürüyor ve bu alandaki deneyimini daha ileri seviyeye taşımayı amaçlıyor. Aynı zamanda araştırma ve geliştirme çalışmalarının 2030’a kadar tamamlanması planlanıyor.

Bu yeni dönemde en dikkat çeken yeniliklerden biri ise “fork sheet” mimarisi. Bu yaklaşım, mevcut nanosheet tabanlı transistör yapısının ötesine geçerek daha yüksek yoğunluk ve daha iyi performans sunmayı hedefliyor. Transistörlerin arasına yerleştirilen özel bir yalıtkan yapı sayesinde, farklı transistör tipleri daha yakın konumlandırılabiliyor ve verimlilik artırılıyor.

Mevcut GAA teknolojisi, akım kontrolünü daha verimli hale getirerek önemli bir sıçrama yaratmıştı. Ancak daha küçük üretim süreçlerinde bu yaklaşımın tek başına yeterli olmayacağı düşünülüyor. Bu nedenle Samsung, fork sheet mimarisiyle hem performansı artırmayı hem de aynı alana daha fazla transistör sığdırmayı planlıyor.

Öte yandan şirketin daha önce gündeme gelen 1.4 nm süreci ile ilgili planlarında değişiklik yaptığı da dikkat çekiyor. Bu teknolojinin ertelenmesi veya geri plana alınması, Samsung’un kaynaklarını daha çok 2 nm ve 1 nm süreçlerine odakladığını gösteriyor.

Galaxy S25 Kullanıcılarına Kötü Haber, One UI Güncellemesi Gecikiyor

See more